شريحة HBM4 من سامسونج، وحصّتها من خطوط 4 نانومتر في مصانع الشركة
هاردوير

مخزون الذاكرة عند سامسونج وSK Hynix تحت عشرة أيام، والنفاد محتمل العام المقبل

دقيقتان قراءة

مخزون الذاكرة لدى سامسونج وSK Hynix نزل تحت عشرة أيام من الإمداد، بحسب تقرير من KB Securities صدر في 7 سبتمبر. الرقم لا يصف تباطؤ إنتاج، بل طلبًا يبتلع المعروض أسرع ممّا يُصنع.

شرائح ذاكرة من سامسونج، ومخزون الذاكرة ينزل تحت عشرة أيام
ذاكرة HBM من سامسونج. المصدر: سامسونج

ما يعنيه مخزون الذاكرة تحت عشرة أيام

عشرة أيام هي ما يكفي التصنيع والشحن، لا أكثر. المصنّع الذي يهبط مخزونه إلى هذا الحدّ يفقد قدرته على استيعاب أي قفزة طلب مفاجئة، ويفقد معها ورقة التفاوض على السعر: من يريد الشراء يدفع ما يُطلب منه أو ينتظر دوره.

مصدر الضغط

الإنفاق على بنية الذكاء الاصطناعي يسحب ثلاثة أشياء في وقت واحد: ذاكرة HBM، وذاكرة DDR5 للخوادم، وأقراص SSD المخصّصة للمؤسّسات. الطلبات الثلاثة تخرج من الطاقة الإنتاجية نفسها.

الانتقال إلى HBM4 يضغط على طاقة الرقائق، فينخفض إنتاج DRAM التقليدية. مراكز البيانات الكبرى تخطّط لإنفاق 1.3 تريليون دولار على الذكاء الاصطناعي، بزيادة 60% عن 2024، وأشباه موصلات الذاكرة تمثّل 57% من هذا الرقم.

التحذير الأبعد

قراءة KB Securities أنّ المسألة ليست تعافي طلب مؤقّتًا: الكمية القابلة للبيع نفسها مرشّحة لأن تصير غير كافية، وقد تنفد فعليًّا العام المقبل. توقّعاتها كذلك أنّ الطلب على DRAM وNAND سيتجاوز العرض بأكثر من عشر نقاط مئوية.

أين يصل هذا إليك

في بطاقة الرسومات وفي الحاسب المحمول وفي سعر الترقية. الذاكرة مكوّن يدخل كل شيء تقريبًا، وحين يشتري مركز بيانات واحد ما يكفي آلاف الحواسيب، فالسعر الذي تراه في المتجر هو ما تبقّى بعده.

من تغطيتنا للموضوع، حجز سامسونج لإنتاج الذاكرة حتى 2031، وخطوط 4 نانومتر وHBM4، وتقدّم Intel في الطباعة الضوئية، وارتفاع أسعار المعالجات.

التقرير عبر Wccftech، وتفاصيل الإمداد عبر DigiTimes.