خطوط سامسونج 4 نانومتر تعمل بكامل طاقتها، وHBM4 يبتلع حتى 60% منها
العقدة التي كان استغلالها دون 50% العام الماضي صارت تعمل بكامل طاقتها اليوم، والسبب ليس هاتفًا ولا معالج حاسب: شرائح HBM4 القاعدية تستهلك وحدها ما بين نصف وستّين بالمئة من إنتاج خطوط سامسونج 4 نانومتر.
حصّة HBM4 من خطوط 4 نانومتر
“الشريحة القاعدية” هي الطبقة المنطقية أسفل مكدّس الذاكرة عالية النطاق، وهي التي تُصنع في مصانع المنطق لا في مصانع الذاكرة. ولأن الطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي لا يهدأ، حوّلت سامسونج أكثر من نصف طاقة عقدة 4 نانومتر إليها.
من أقلّ من النصف إلى الطاقة الكاملة
قبل عام كانت عقدتا 4 و5 نانومتر عند سامسونج تعملان بأقلّ من نصف طاقتهما، وهو رقم يعني خسارة مباشرة في هذا النوع من المصانع. أما اليوم فتقدّر التقارير استغلال قسم المسابك عمومًا بين 70% و80%، مع توقّع بلوغ الطاقة الكاملة قبل نهاية 2026.
المحرّكات ثلاثة: شرائح HBM4 القاعدية، وزيادة إنتاج معالجات Exynos الداخلية، وطلبات متنامية من عملاء أمريكيين.
عقدة 2 نانومتر والعائق الباقي
الجزء الذي لم يُحلّ بعد هو الجيل التالي. نسبة الإنتاج السليم في عقدة 2 نانومتر تقدَّر حاليًّا عند نحو 60%، بينما تحتاج سامسونج إلى ما يقارب 70% لتأمين عقود إنتاج ضخمة.
لماذا يخصّك هذا كلاعب
هذه هي الحلقة نفسها التي ترفع أسعار الذاكرة في بطاقات الرسوم والأجهزة المنزلية: الطاقة التصنيعية محدودة، والذكاء الاصطناعي يشتريها بأسعار لا يستطيع سوق الألعاب منافستها. وحين تُحجز خطوط بأكملها لذاكرة مراكز البيانات، يقلّ ما يبقى لكل ما عداها.
في السياق نفسه، سامسونج تحجز 70% من إنتاج الذاكرة حتى 2031، ورئيس سوني عن أزمة الذاكرة وتوقيتها. ومن الهاردوير أيضًا، محطة AMD للذكاء الاصطناعي المحلي، ودعم DLSS 5 على RTX 40.
التقرير عبر Wccftech، وقراءة السوق عبر TrendForce.
