Intel High-NA EUV: مليون رقاقة، وسامسونج وTSMC خلفها بسنتين إلى أربع

Intel High-NA EUV تجاوزت مليون رقاقة معالَجة على معدّات الطباعة الضوئية من الجيل الجديد، وهو رقم يفوق ما عالجه كل مصنّعي الرقائق الآخرين مجتمعين. المعلومة مؤكّدة من Intel وASML معًا.

معنى رقم Intel High-NA EUV

الطباعة الضوئية بفتحة عددية عالية هي الخطوة التالية بعد EUV التقليدية، وتسمح برسم تفاصيل أدقّ على الرقاقة في تعريض واحد بدل تعريضين. المعدّة الواحدة تزن نحو 165 طنًّا وتكلّف أضعاف سابقتها، ولهذا لا يقتنيها أحد للتجربة.

المليون رقاقة ليست كلّها اختبارًا. جزء منها طبقات إنتاجية فعلية من Panther Lake، وهذا هو الفارق بين معدّة في غرفة نظيفة ومعدّة في خطّ.

أين سامسونج وTSMC

سامسونج لا تنوي الاعتماد على المعدّة قبل 2028، وTSMC قبل 2030. الفارق الزمني بين سنتين وأربع، بحسب من تقيس عليه.

ما تقوله الأرقام عن الجودة

الرقائق المصنوعة على عقدة 18A باستخدام High-NA تطابق أو تتفوّق على طبقات مقارنة صُنعت بمعدّات EUV الحالية، على قول Intel. الشركة تعمل كذلك على أقنعة ضوئية عملاقة بقياس 6×12 لتسريع الإنتاج وخفض كلفته.

أثر الخبر في السوق

سهم Intel ارتفع نحو 5% بعد الإعلان، وسهما ASML وTSMC نحو 3%. الرقم لا يترجم إلى معالج أرخص على رفّ المتجر غدًا، لكنه يترجم إلى موقع تفاوضي أقوى لذراع التصنيع Intel Foundry أمام عملاء يبحثون عن بديل لـTSMC.

من تغطيتنا لإنتل، ارتفاع أسعار المعالجات مطلع أكتوبر، والطلب المتوقّع على المعالجات بسبب الوكلاء المحلّيين. ومن المنافسة، محطّة AMD للذكاء الاصطناعي المحلي وخطوط سامسونج 4 نانومتر.

الخبر عبر Wccftech، والتفاصيل التقنية عبر Tom’s Hardware.